Advanced Power Technology(APT)的低导通电阻、快速开关MOSFET家族POWER MOS V添加新成员。该新器件具有较高的电压、较低的导通电阻，采用TO-26?和T-MAX封装。
APT的MOSFET采用金属多晶硅工艺，具有内部芯片栅极电阻。与标准的多晶硅栅极器件相比，开关速度快、噪声低。具体特性如下：100-1200V的击穿电压、9-60毫欧姆的导通电阻、20-100安培的耗尽电流、625W的功率耗散和较低的内部栅极电阻。
另外，APT也供应FREDFET版本的MOSFET产品，它具有快速内部二极管。该系列器件的应用领域包括DC/DC转换器、功率因素纠正(PFC)前置稳压器、开关电源、UPS、马达控制和反相器等。100-1200V的器件有样品供应，批量1千只以上，价格约在18.06-26.83美元之间。
