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印度将投资第一个多晶硅太阳能项目

日期:2008-08-26    来源:半导体国际  作者:半导体国际

国际新能源网

2008
08/26
10:07
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关键词: 印度 多晶硅 太阳能

    据来自印度班加罗尔的消息,一个新的多晶硅太阳能项目将在印度东部城市霍尔迪亚建立,这将作为包括电厂在内的综合太阳能设施的一部分,总耗资约12.5亿美元。

    此前,Bhaskar Silicon Ltd.公司声称正在建造全球最大的综合性太阳能电力设施,并计划占地800英亩,而多晶硅项目也是该计划的一部分。

    据报道,在初始阶段多晶硅项目每年将产生2,500吨的多晶硅材料,两年后将达到5,000吨。综合设施里的太阳能电厂每年将产生250兆瓦的电力。

    西孟加拉邦政府工业和商业部长Nirupam Sen说,该工厂将按照未来半导体制造的配置来设定。但他没有详细说明具体计划。

    Bhaskar Silicon董事总经理Jyoti Poddar表示,将与德国伙伴Centrotherm Photovoltaics AG共同建立该综合性太阳能设施。他表示,该项目的其他合作伙伴,例如美国的Perseus,都将进行股本投资。
 

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