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意法半导体用MOSFET开发出太阳能电池功率调节器

日期:2009-02-23    来源:国际能源网  作者:本站专稿

国际新能源网

2009
02/23
13:21
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关键词: 意法 太阳能电池

    意法半导体(ST)开发出了用于配备太阳能电池功率调节器的MOSFET。耐压650V,有最大导通电阻为0.022Ω(漏极电流为93A)的“STY112N65M5”和最大导通电阻0.038Ω(漏极电流为66A)的“STW77N65M5”。

  此前,太阳能电池功率调节器一直使用IGBT,但由于MOSFET的导通电阻不断降低,因此MOSFET正逐渐取代IGBT。

  ST公司通过改进Super Junction结构,实现了耐压650V的低导通电阻。具体而言,将在n型底板垂直方向上伸长的p型区域的宽度和间隔减少一半,使单位面积的导通电阻由原来的约30mΩcm2降至约20mΩcm2。

  为涉足太阳能电池市场,ST公司此次将主要面向笔记本电脑AC适配器和平板电视的该公司原产品的600V耐压设定为650V。耐压值是25℃下的测量结果。由于随着温度降低,耐压也降低,因此针对有时设置在室外的太阳能电池系统,提高了耐压。

  STY112N65M5和STW77N65M5均将于2009年4月开始供应样品。

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