日立制作所利用硅开发出了可在较大的频率范围内获得具有实用性水平输出功率的毫米波通信用电力增幅器（功率放大器）。以前，使用硅的部件比使用化合物半导体的部件的耐压低，难以获得大输出功率。此次开发出了分多个阶段放大传输信号的电路技术，并用其试制了用于60GHz频带和80GHz频带的两种功率放大器。与利用化合物半导体制造的高频部件相比，有望降低制造成本。
试制的60GHz频带用功率放大器的特性值方面，饱和输出功率为12.6dBm，增益变动在1dB以内的频率范围（1dB变动带宽）为55G～72GHz之间的17GHz。80GHz频带用功率放大器的饱和输出功率为10.3dBm，1dB变动带宽为66G～85GHz之间的18GHz。
此次，该公司针对各种型号（栅极宽度）的CMOS部件，构筑了可用于毫米波频带的精密设计模型。并开发出了将可高效放大传输信号的部件数量和大小结合起来的设计技术。另外，根据部件大小调整了将不同尺寸的CMOS部件连接起来的整合电路的截止频率。由此扩大了表示增益的频率范围。
此次研究是日本总务省委托的“电波资源扩大的研究开发”研究项目的一环。日立制作所在09年6月7～9日于美国马萨诸塞州波士顿举行的“IEEE 2009 Radio-Frequency Integrated Circuits Symposium（RFIC Symposium）”上发布了此次的成果。
