当前位置: 新能源网 » 新能源企业 » 企业动态 » 正文

英特尔硅光电子研究:未来将无处不在

日期:2009-06-22    来源:太平洋电脑网  作者:太平洋电脑网

国际新能源网

2009
06/22
17:06
文章二维码

手机扫码看新闻

关键词: 英特尔 硅光电子

    今日,CNET科技资讯网记者在英特尔硅光电子实验室了解到,英特尔硅光电子相关研究取得进一步成果。

  据英特尔院士、光电子学技术实验室总监Mario Paniccia博士介绍,英特尔已经研制出了传输速率可以达到200Gb/s的集成硅光电子发射器,它是一颗集成硅光电子的测试芯片,共有8个通道,每个传输速率为25Gb/s,能够达到200Gb/s,未来路线图是要达到1Tb/s。

  英特尔企业技术事业部光电子技术实验室高级研究员亢宜敏告诉CNET科技资讯网,硅光电子学可以应用于对带宽需求高的远程医疗和3D虚拟世界等未来数据密集型计算领域。要用硅器件来代替以往由昂贵的半导体制造的光电器件,对于IT产业是一大革命。

返回 国际新能源网 首页

新能源资讯一手掌握,关注 风电头条 储能头条 微信公众号

看资讯 / 读政策 / 找项目 / 推品牌 / 卖产品 / 招投标 / 招代理 / 发新闻

风电头条

储能头条

0条 [查看全部]   相关评论

国际能源网站群

国际能源网 国际新能源网 国际太阳能光伏网 国际电力网 国际风电网 国际储能网 国际氢能网 国际充换电网 国际节能环保网 国际煤炭网 国际石油网 国际燃气网