东芝于2010年5月11日在东京都内举行了“2010年度经营方针说明会”，东芝代表执行社长佐佐木则夫介绍了业务构造改革的进展情况和业务构造转换措施。在业务构造转换措施方面，佐佐木介绍了面向NAND闪存和原子能等成长业务的集中投资以及在扩大原子能和保健等业务领域的同时，针对未来成长热点，对新业务与领域的开拓情况。
作为新领域，佐佐木提到的是“智能社区解决方案”“太阳能发电系统”、“SCiB”、“新照明系统”、“数字&网络”、“新一代元件”以及“新一代反应堆”。智能社区解决方案包括智能电网、智能设施（楼宇、数据中心和工厂等解决方案）和智能社区（水、燃气和交通等所有社会基础设施），这些业务的2015年度销售额目标定为7000亿日元。智能电网业务方面，东芝在美国新墨西哥州和宫古岛参与策划了大型实证项目，智能设施业务方面，于2010年4月1日成立了统括部门。智能社区业务方面，东芝在印度参与策划了日本和印度的合作项目。
关于太阳能发电系统业务，东芝提出了2015年度实现2000亿日元销售额的目标。东芝宣布，除了在日本国内接到三项百万瓦级太阳能系统订单（提供给中部电力、东京电力和冲绳电力）外，还新内定了一项海外订单。海外内定的订单是向保加利亚的Yambol公司供货。据悉，东芝已经获得了土地和授权，将设置两台5MW的系统。在住宅用太阳能发电系统方面，截至2010年5月已经接到了相当于一万户住宅的订单。
SCiB是在负极材料中使用钛酸锂的锂离子充电电池，东芝提出了2015年度实现2000亿日元销售额的目标。该公司已经在2010年1月决定将其用作向冲绳电力提供智能电网SCiB蓄电池单元，2010年4月接到了将其配备于本田电动摩托车“EV-neo”的订单。而且还有新的企业内定将SCiB用于电动汽车。不过东芝没有公布已经内定将SCiB用于电动汽车的产品类型和企业等详情，“由于上述业务涉及对方，我们不便公布公司名称”（东芝佐佐木）。
新元件方面，东芝把采用SiC的功率半导体技术，以及不只是依赖微细化的新型内存技术作为潜力股。作为采用SiC的功率半导体技术的实例，东芝提到了可将导通电阻降低50％的MOSFET。将该功率半导体用于逆变器中可提高转换效率，还可将逆变器体积减至1/5程度左右，用于铁路和车载产品中可将功耗削减20％左右。新型内存技术方面，东芝正在推进开发包括三维单元技术“BiCS”在内的后NAND闪存技术，将在2010年度确立发展方向，在四日市工厂第五生产车间（预定在2011年春季竣工）的二期以后导入。
关于除此以外的新领域业务方面，新照明系统业务（2015年度的销售额目标为3500亿日元）将扩大LED照明；数字&网络业务（2015年度的销售额目标为5万亿日元）将通过并用HDD和SSD来实现办公室和数据中心等的功耗削减；新一代反应堆将致力于发展快堆和高温气冷堆。
