日期：2014-12-15 来源：本站整理 作者：本站整理
关键词： 多晶硅
近日在太阳能电池国际会议“PVSEC-17”上发布了将多晶硅单元转换效率提高至18％的成果。
据三菱电机介绍，该公司曾在2000年的国际会议上发布过将多晶硅单元转换效率提高至16.8％的成果。而这次，三菱电机首先通过控制表面凹凸的RIE Texture技术，将转换效率提高至17.3％；然后在此基础上再用氢不饱和键(Dangling Bond)加成技术将其提高至17.7％；最后通过减少布线面积将其提高至18％。
据悉，RIE Texture技术采用直径为3μm的硅粒子作掩膜，通过蚀刻在晶圆表面形成数μm的凹凸。由于是在晶圆上涂布含硅溶液，以自组织方式排列硅，形成掩膜的成本得以削减至最低。
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