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新思科技推出结合结合90纳米工艺的硅IP

日期:2014-12-20    来源:电子工程专辑  作者:电子工程专辑

国际新能源网

2014
12/20
13:02
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关键词: 新思科技 90纳米工艺硅IP

     新思科技(Synopsys)日前宣布结合台积电(TSMC)的Nexsys 90纳米先进工艺,推出高质量的硅知识产权(包括高速USB)2.0 IP及OTG物理层,这是首次结合TSMC的90奈米工艺,并获USB Hi-Speed OTG认证通过的PHY IP产品。

    Synopsys的DesignWare USB PHY IP,包含了USB控制器与验证IP(VIP),在整合TSMC的Nexsys先进工艺技术组件数据库应用时,可为嵌入式USB SoC领域的设计者降低设计风险,减少芯片面积使用及功率的耗损,提升工艺的良率,并可广泛应用在消费电子及手机市场上。

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