Spire集团的全资子公司Spire Semiconductor近日研制出了世界上效率最高的三结砷化镓(GaAs)太阳能电池，在406倍太阳辐射聚光(406 suns)、大气光学质量1.5 (AM1.5)、25℃的测试条件下，这片0.97cm2电池的效率达到了42.3%(500倍聚光条件下效率为42.2%)。这项开发是美国国家可再生能源实验室(NREL)的孵化器项目(NREL incubator subcontract)的一部分。该记录也得到了NREL的证实。
在过去不到18个月的时间里，该公司通过研究验证了提出的全新概念，并把这个想法应用于电池的开发中。现在，电池的设计已经达到了可以生产的水平并创造了转换效率的世界记录，Spire Semiconductor的总经理爱德华·盖格农(Edward D. Gagnon)表示，“公司的技术团队取得了卓越的成果。NREL在整个项目期间给我们提供了很大的帮助，在接到需要精确测量效率的申请后，NERL也很快给了我们回应。正是因为他们长期以来的帮助，我们才能验证自己双面太阳能电池的结构。目前，这款下一代更加高效的GaAs聚光太阳能(CPV)电池平台已经可以交付聚光太阳能系统开发商投入商业使用。”
NREL的孵化器项目在一期已经达到了39%的效率。
