Microsemi第一步的选择是进入太阳能领域,这个出发点相当正确,根据IMS Research的预计,截至2016年能源市场的年化增长率将达到13.7%,是工业领域增长最快的细分市场。Microsemi的四条产品线恰好能覆盖太阳能技术,具体如下:
•太阳能旁路二极管用于获取电能
LX2400 IDEAL™太阳能旁路器件采用Microsemi专利CoolRUN™技术,在光伏模块应用中提供一个旁路通道。该器件具有业界最低的正向电压降,可在工作期间实现极低的发热和温升。LX2400具有同级最佳的可靠性和稳健性,用于需要经由模块接线盒获得10A或更高电流的应用。
Microsemi新型肖特基势垒光伏旁路二极管是世界上最薄的型款,其厚度仅为0.74 mm,可让客户将其集成在玻璃下面,省去接线盒。这超薄尺寸旁路二极管也可以用于缩减接线盒尺寸。SFDS系列10A二极管是专为太阳能面板而设计的,采用独特的灵活的铜质引脚,具有经过卫星应用验证的高可靠性。
Microsemi除了提供上述的独特封装之外,还提供采用轴向、表面安装和通孔安装的广泛的肖特基旁路二极管,其标准电流范围是10A至18A,电压范围为20 V至45 V,并同时提供设计和构建选项,提供电流高达60 A和电压高达200V的定制器件。
•SmartFusion和IGLOO FPGA用于功率管理和控制
Microsemi SmartFusion混合信号FPGA和IGLOO低功耗FPGA采用基于快闪技术的架构,是帮助逆变器设计人员实现效率最大化,以及在较小的占位面积中集成板级功能的理想选择。功能和算法包括更多数量的PWM状态机,最大功率点追踪(MPPT)和功率因数校正(PFC)等,可在嵌入式32位ARM® Cortex™-M3或逻辑门之内进行划分,以适合各种设计需求。Microsemi夏明威表示,使用低功耗FPGA,相比较DSP而言,使用的是硬件编程,因此功耗更低,性能也有相应的提高,并且更可靠。
•IGBT, MOSFET, FRED和DC-DC转换器用于功率监控
新型600 V CoolMOS™ C6器件采用第五代高电压超级结技术,实现极低的传导和开关损耗,可实现具有更高效率和功率密度水平的开关系统设计。
由于传导损耗则在总体系统损耗方面占据主导地位,新型MOS 8™ IGBT已经针对低工作频率(10 KHz — 30 KHz)而优化。MOS 8 PT IGBT产品系列则在2.0 V (600 VBR(CES)) 和2.5 V (900 VBR(CES))下提供低传导损耗特性。
Microsemi除了提供具有多种功率模块电气和机械配置的功率半导体产品之外,还提供IGBT、MOSFET和FRED,推动实现更高效的新型转换器拓扑,如三级逆变器、交错式PFC升压转换器及矩阵转换器。并且,IGBT等模块还可以进行定制化的封装。
此外,Microsemi不断扩大的DC/DC产品系列支持高达40V的输入电压,以及最高40A的广泛输出电流范围。该系列器件包括内置功率FET的开关调节器,以及采用外部功率FET并可在最高2 MHz频率下运作的控制器。
•FPGA用于功率监控
SmartFusion智能混合信号FPGA在单一IC平台上集成了模拟前端、嵌入式ARM Cortex-M3处理器和可编程逻辑资源。这一灵活性为设计人员提供了开发低功耗的可适配平台的能力,能够精确地监控实时负载数据,同时满足多种安全连接性协议的要求,毕竟现阶段,通信标准尚未确定,因此使用更灵活的FPGA可以有效地避免此类问题。
夏明威表示,除了太阳能之外,由于产品采用了FPGA可配置器件,因此该套方案完全可移植至其他新能源产品应用上,并且也为此推出了全面的参考设计方案。另外,他透露Microsemi也在准备将全面产品线拓展至马达控制等市场应用中。