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普瑞未来两年将生产硅衬底LED芯片 成本有望下降20%至30%

日期:2011-08-10    来源:OFweek  作者:OFweek

国际新能源网

2011
08/10
11:35
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关键词: 普瑞 硅衬底LED芯片

    普瑞近日宣布,其新制造工艺的性能指标获得提升,预计将在未来两年制造基于硅衬底的LED芯片,普瑞希望此举可以降低大约20%至30%LED照明成本。

  目前,LED的成本仍然居高不下,严重阻碍了LED照明在通用照明领域的普及。

  当前,大多生产的LED芯片仍以蓝宝石或碳化硅衬底为主。为了降低LED芯片的生产成本,多年来研究人员一直在努力完善基于硅衬底的LED制造工艺,但仍存在硅衬底开裂或扭曲的问题。普瑞宣称,其先进的LED生产工艺可以在硅衬底上生产出同等性能的氮化镓LED。

  对于冷光源,其样品可以实现160流明/瓦,而暖黄色光源则可以达到125流明/瓦。真正面向用户推出的暖色LED灯泡其效率有望达到85流明/每瓦,比目前的商用LED照明产品效率更高。上周飞利浦90流明/每瓦的LED灯泡获得了美国能源部的L Prize竞赛大奖,预计该款LED灯泡将在明年上市。

  普瑞公司战略和发展副总裁Bullington表示,将力争在未来24个月推出基于硅衬底的LED芯片,这是一个非常切合实际的目标。其中最大障碍是如何制造那些芯片。

  普瑞公司已经大大提高了硅衬底LED芯片的流明/瓦,光色和显色指数等性能,而这些性能的高低直接决定了LED芯片质量的好坏。在今年三月,普瑞公司宣布其硅衬底氮化镓LED发展战略时,就已经取得135流明/瓦的白光。

 

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